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35.传导整改,分段处理经验,如下图,这只是处理的一种方法,工业充电器定制,有些情况并不是能直接套用 36.辐射整改,分段处理经验,如下图,适合一些新手工程师,提供一个参考的方向,有些情况并不是能直接套用,的还是要搞清楚EMI产生的机理。 37.关于PCB碰到的问题,如图,为什么99SE画板覆铜填充的时候填不满这个位置?像是有死铜一样D1这个元件有个文字描述的属性放在了顶层铜箔,如图 把它放到顶层丝印后,解决。38.变压器铜箔屏蔽主要针对传导,线屏蔽主要针对辐射,当传导非常好的时候,有可能你的辐射会差,这个时候把变压器的铜箔屏蔽改成线屏蔽,山西工业充电器,尽量压低30M下降的位置,这样整改辐射会快很多。 EMI整改技巧之一 39.测试辐射的时候,多带点不同品牌的MOS、肖特基。


如反激一次侧的高压MOS的D、S之间距离,依据公式500V对应0.85mm,DS电压在700V以下是0.9mm,考虑到污染和潮湿,一般取1.2mm 54.如果TO220封装的MOS的D脚串了磁珠,工业充电器厂家,需要考虑T脚增加安全距离。 之前碰到过炸机现象,工业充电器生产,增加安全距离后解决了,因为磁珠容易沾上残留物 55.发一个验证VCC的土方法,把产品放低温环境(冰箱)几分钟,测试VCC波形电压有没有触发到芯片欠压保护点。 小公司设备没那么全,有兴趣的可以做个对比,看看VCC差异有多大关于VCC圈数的设计需要考虑很多因素 56.在变压器底部PCB加通风孔,有利于散热,小板也一样,要考虑风路。


LEB前沿消隐时间设短了,比尖峰脉冲的时间还短,那就没有效果了还是会误判;如果设长了,真正的过流来了起不到保护的作用。 Rcs与Ccs的RC值不可超过1NS的Delay,否则输出短路时,Vds会比满载时还高,超过MOSFET耐压就可能造成炸机。 经验值1nS的Delay约等于1K对100PF,也等于100R对102PF 16.画小板时,在小板引脚的90度拐角处增加一个圆形钻孔。理由:方便组装 如图: 实物如图: 实际组装如图: 这样做可以使小板与PCB大板之间紧密贴合,不会有浮高现象 17.电路设计,肖特基的散热片可以接到输出正极线路,这样铁封的肖特基就不用绝缘垫和绝缘粒 18.电路调试,15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007,因为1N4007速度慢300uS,压降也大1.3V,老化过程中温度很高,容易失效造成炸机 19.电路调试,输出滤波电容的耐压致少需符合1.2倍余量,避勉量产有损坏现象。


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